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NAND Flash方面,美光2019年主流将向96层3D NAND转移,容量以量产512Gb为主,3月份已基于96层3D NAND推出了美光1300系列SSD和microSD卡产品。至于3D Xpoint技术,即可作为能运算的扩充DRAM,也可以做快速储存需求的NAND扩充替代,美光预计在2019会计年度进行送样,快在2020会计年度量产,将会专注数据中心存储应用。

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第三是市场竞争格局的变化,这场肇始于思科,发扬于华为的自研芯片浪潮,现在已经愈演愈烈。自研芯片将会在成本和性能两个维度上赋予厂商极大竞争力。自研芯片是降低成本关键的环节,尤其是在用量非常大的用户板上

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